TPH8R80ANH,L1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPH8R80ANH,L1Q

TPH8R80ANH,L1Q

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部品番号	TPH8R80ANH,L1Q
LIXINC Part #	TPH8R80ANH,L1Q
メーカー	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー	ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明	MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	TPH8R80ANH,L1Q PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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TPH8R80ANH,L1Q 仕様

部品番号:	TPH8R80ANH,L1Q
ブランド:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:	U-MOSVIII-H
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Active
フェチタイプ:	N-Channel
テクノロジー:	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):	100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:	32A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):	10V
(最大) @ id、vgs の rds:	8.8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:	4V @ 500µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:	33 nC @ 10 V
vgs (最大):	±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:	2800 pF @ 50 V
フェチ機能:	-
消費電力 (最大):	1.6W (Ta), 61W (Tc)
動作温度:	150°C (TJ)
取付タイプ:	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ:	8-SOP Advance (5x5)
パッケージ・ケース:	8-PowerVDFN

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