参考まで
部品番号 | NDPL180N10BG |
LIXINC Part # | NDPL180N10BG |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NDPL180N10BG PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NDPL180N10BG |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 180A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V, 15V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 3mOhm @ 15V, 50A |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 95 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 6.95 pF @ 50 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.1W (Ta), 200W (Tc) |
動作温度: | 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220-3 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
PHK5NQ15T,518 | MOSFET N-CH 150V 5A 8SO | 894 注文の詳細 |
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SUM50010E-GE3 | MOSFET N-CH 60V 150A TO263 | 1611 注文の詳細 |
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BSC040N10NS5ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 100A TDSON | 27228 注文の詳細 |
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IPB60R299CPATMA1 | MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3 | 19639 注文の詳細 |
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SI2393DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23 | 10655 注文の詳細 |
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SQS401ENW-T1_GE3 | MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8 | 3927 注文の詳細 |
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HUF75332P3_NL | N-CHANNEL POWER MOSFET | 810 注文の詳細 |
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IXTT2N300P3HV | MOSFET N-CH 3000V 2A TO268 | 859 注文の詳細 |
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BSS84PH6433XTMA1 | MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 | 86038 注文の詳細 |
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PMV48XP/MI215 | P-CHANNEL MOSFET | 192959 注文の詳細 |
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STL33N60M2 | MOSFET N-CH 600V 22A PWRFLAT HV | 994 注文の詳細 |
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SCT20N120H | SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2 | 1032 注文の詳細 |
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FDMS86520 | MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN | 2147484631 注文の詳細 |
在庫あり | 11404 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.62000 | $1.62 |
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