参考まで
| 部品番号 | R6012FNJTL |
| LIXINC Part # | R6012FNJTL |
| メーカー | ROHM Semiconductor |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CH 600V 12A LPT |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | R6012FNJTL PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | R6012FNJTL |
| ブランド: | ROHM Semiconductor |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | ROHM Semiconductor |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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SQJA94EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8 | 3572 注文の詳細 |
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IPP60R450E6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-3 | 2487 注文の詳細 |
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IRF9540NPBF | MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB | 892 注文の詳細 |
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FQAF16N25C | MOSFET N-CH 250V 11.4A TO3PF | 1164 注文の詳細 |
 |
IRFR7740TRPBF | MOSFET N-CH 75V 87A DPAK | 952 注文の詳細 |
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EKI04047 | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | 902 注文の詳細 |
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FDD3680 | MOSFET N-CH 100V 25A TO252 | 1367 注文の詳細 |
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RUM001L02T2CL | MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 | 72369 注文の詳細 |
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RSR020P05HZGTL | MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3 | 2160 注文の詳細 |
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BSC030N08NS5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 100A TDSON | 12494 注文の詳細 |
 |
BSP225,115 | MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223 | 3722 注文の詳細 |
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BUK6E3R2-55C,127 | MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK | 995 注文の詳細 |
 |
RQ5H025TNTL | MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3 | 1986 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11814 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.13000 | $3.13 |
| 1000 | $1.65200 | $1652 |
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