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| 部品番号 | RM100N60T7 |
| LIXINC Part # | RM100N60T7 |
| メーカー | Rectron USA |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CHANNEL 60V 100A TO247 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | RM100N60T7 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 27 - Oct 01 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | RM100N60T7 |
| ブランド: | Rectron USA |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rectron USA |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tube |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 100A (Tc) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 6.5mOhm @ 40A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | ±20V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 4800 pF @ 30 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 170W (Tc) |
| 動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-247 |
| パッケージ・ケース: | TO-247-3 |
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SISS30ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK | 6868 注文の詳細 |
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STF28N60M2 | MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP | 1714 注文の詳細 |
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DMG4468LFG | MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN | 3464 注文の詳細 |
 |
IRF3007SPBF | MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK | 837 注文の詳細 |
 |
RM12N650LD | MOSFET N-CH 650V 11.5A TO252-2 | 837 注文の詳細 |
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NTTFS5C670NLTAG | MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN | 2147484582 注文の詳細 |
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NTE491SM | MOSFET N-CHANNEL 60V 115MA SOT23 | 1422 注文の詳細 |
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STP110N8F6 | MOSFET N-CH 80V 110A TO220 | 818 注文の詳細 |
 |
RV2C010UNT2L | MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3 | 2567 注文の詳細 |
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IPB120N06S403ATMA1 | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | 862 注文の詳細 |
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EKI07076 | MOSFET N-CH 75V 85A TO220-3 | 904 注文の詳細 |
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RF4E110BNTR | MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8 | 3552 注文の詳細 |
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APT20M45BVRG | MOSFET N-CH 200V 56A TO247 | 863 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10921 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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