参考まで
| 部品番号 | NTE464 |
| LIXINC Part # | NTE464 |
| メーカー | NTE Electronics, Inc. |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET-P CHANNEL AMP/SW |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | NTE464 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | NTE464 |
| ブランド: | NTE Electronics, Inc. |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | NTE Electronics, Inc. |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Bag |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | P-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 25 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 10A |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 600Ohm @ 0A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 10A |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | ±30V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 5 pF @ 10 V |
| フェチ機能: | Standard |
| 消費電力 (最大): | 800mW (Tc) |
| 動作温度: | 175°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-72 |
| パッケージ・ケース: | TO-72-3 |
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FQD5N60CTM-WS | MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK | 978 注文の詳細 |
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IRFB7537PBF | MOSFET N-CH 60V 173A TO220AB | 910 注文の詳細 |
 |
5LN01SP-AC | N-CHANNEL MOSFET | 33491 注文の詳細 |
 |
AO3434A | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3L | 9097 注文の詳細 |
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IPW80R280P7XKSA1 | MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3 | 833 注文の詳細 |
 |
TK100L60W,VQ | MOSFET N-CH 600V 100A TO3P | 878 注文の詳細 |
 |
QS5U23TR | MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5 | 890 注文の詳細 |
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MCB150N06YB-TP | MOSFET N-CH 60V 150A D2PAK | 1968 注文の詳細 |
 |
AON7140 | MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8DFN | 902 注文の詳細 |
 |
STH140N8F7-2 | MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2 | 1120 注文の詳細 |
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SIHW61N65EF-GE3 | MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD | 908 注文の詳細 |
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IRF710PBF-BE3 | MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB | 1947 注文の詳細 |
 |
FDW252P | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8TSSOP | 273890 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10922 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $11.11000 | $11.11 |
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