参考まで
| 部品番号 | SMBF1006LT1 |
| LIXINC Part # | SMBF1006LT1 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | SS SOT23 JFET NPN SPCL |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | SMBF1006LT1 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | SMBF1006LT1 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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AOW29S50 | MOSFET N-CH 500V 29A TO262 | 849 注文の詳細 |
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SUM110N04-04-E3 | MOSFET N-CH 40V 110A TO263 | 949 注文の詳細 |
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TSM3N80CZ C0G | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220 | 1959 注文の詳細 |
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NDP6060 | MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3 | 10248992 注文の詳細 |
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SQ2319ADS-T1_GE3 | MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3 | 1127 注文の詳細 |
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APT1201R4BLLG | MOSFET N-CH 1200V 9A TO247 | 977 注文の詳細 |
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IXTR102N65X2 | MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247 | 3816 注文の詳細 |
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IPD65R600E6TR | N-CHANNEL POWER MOSFET | 828 注文の詳細 |
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IRFSL7787PBF | MOSFET N-CH 75V 76A TO262 | 1060 注文の詳細 |
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NTB6411ANG | MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK | 15190 注文の詳細 |
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IRF720PBF-BE3 | MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB | 1819 注文の詳細 |
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IPB80R290C3A | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2579 注文の詳細 |
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IPB016N06L3GATMA1 | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 | 908 注文の詳細 |
| 在庫あり | 54994 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.02000 | $0.02 |
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