参考まで
| 部品番号 | IPD65R600E6TR |
| LIXINC Part # | IPD65R600E6TR |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IPD65R600E6TR PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IPD65R600E6TR |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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IRFSL7787PBF | MOSFET N-CH 75V 76A TO262 | 1057 注文の詳細 |
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NTB6411ANG | MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK | 15101 注文の詳細 |
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IRF720PBF-BE3 | MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB | 1848 注文の詳細 |
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IPB80R290C3A | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2661 注文の詳細 |
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IPB016N06L3GATMA1 | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 | 964 注文の詳細 |
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SIHD186N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 19A DPAK | 3464 注文の詳細 |
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SIHA180N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 19A TO220 | 1790 注文の詳細 |
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DMP1055USW-7 | MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363 | 888 注文の詳細 |
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IRL3803STRRPBF | MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK | 936 注文の詳細 |
 |
SUD19P06-60-E3 | MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252 | 1529 注文の詳細 |
 |
IXTA2R4N120P | MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263 | 1011 注文の詳細 |
 |
CSD19505KTT | MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK | 2301 注文の詳細 |
 |
IRFR3707PBF | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK | 932 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10962 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.53000 | $0.53 |
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