参考まで
部品番号 | SIHD186N60EF-GE3 |
LIXINC Part # | SIHD186N60EF-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 19A DPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SIHD186N60EF-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | SIHD186N60EF-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | EF |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 19A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 201mOhm @ 9.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 32 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1118 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 156W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D-PAK (TO-252AA) |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
SIHA180N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 19A TO220 | 1903 注文の詳細 |
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DMP1055USW-7 | MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363 | 885 注文の詳細 |
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IRL3803STRRPBF | MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK | 914 注文の詳細 |
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SUD19P06-60-E3 | MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252 | 1698 注文の詳細 |
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IXTA2R4N120P | MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263 | 877 注文の詳細 |
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CSD19505KTT | MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK | 2223 注文の詳細 |
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IRFR3707PBF | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK | 807 注文の詳細 |
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STD7N80K5 | MOSFET N-CH 800V 6A DPAK | 3404 注文の詳細 |
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DMN3065LW-13 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT323 | 62459 注文の詳細 |
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IPI076N15N5AKSA1 | MV POWER MOS | 1314 注文の詳細 |
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FQB6N40CTM | MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK | 915 注文の詳細 |
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DMG9N65CT | MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB | 846 注文の詳細 |
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IPB60R099C7ATMA1 | MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3 | 1761 注文の詳細 |
在庫あり | 13398 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.23000 | $3.23 |
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