参考まで
部品番号 | NTMFS4923NET3G |
LIXINC Part # | NTMFS4923NET3G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 12.7A/91A 5DFN |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTMFS4923NET3G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | NTMFS4923NET3G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 12.7A (Ta), 91A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 3.3mOhm @ 30A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 22 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 4.85 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 930mW (Ta), 48W (Tc) |
動作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
パッケージ・ケース: | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
PSMN1R5-25MLHX | MOSFET N-CH 25V 150A LFPAK33 | 3840 注文の詳細 |
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SQJA02EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 | 970 注文の詳細 |
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NTD4857N-1G | MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK | 9278 注文の詳細 |
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FQA70N15 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 | 1215 注文の詳細 |
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BUK9614-55A,118 | TRANSISTOR >30MHZ | 6328 注文の詳細 |
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PMV50UPEVL | MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB | 889 注文の詳細 |
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IPB80N08S406ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3-2 | 15271 注文の詳細 |
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AO4290A | MOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC | 821 注文の詳細 |
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BUZ100S-E3045A | N-CHANNEL POWER MOSFET | 31309 注文の詳細 |
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IRFF221 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1832 注文の詳細 |
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IRFZ44PBF-BE3 | MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB | 1812 注文の詳細 |
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IPD50N06S4L08ATMA2 | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31 | 953 注文の詳細 |
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AON6512 | MOSFET N-CH 30V 54A/150A 8DFN | 988 注文の詳細 |
在庫あり | 15916 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.75000 | $0.75 |
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