参考まで
| 部品番号 | IPD50N06S4L08ATMA2 |
| LIXINC Part # | IPD50N06S4L08ATMA2 |
| メーカー | IR (Infineon Technologies) |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IPD50N06S4L08ATMA2 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IPD50N06S4L08ATMA2 |
| ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
| シリーズ: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 50A (Tc) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 7.8mOhm @ 50A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 2.2V @ 35µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 64 nC @ 10 V |
| vgs (最大): | ±16V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 4780 pF @ 25 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 71W (Tc) |
| 動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO252-3-11 |
| パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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AON6512 | MOSFET N-CH 30V 54A/150A 8DFN | 835 注文の詳細 |
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IPA60R099C7XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP | 2322 注文の詳細 |
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TN0604N3-G-P005 | MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3 | 848 注文の詳細 |
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AON6312 | MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN | 923 注文の詳細 |
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NTBG020N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK | 2008 注文の詳細 |
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TK62N60W,S1VF | MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247 | 808 注文の詳細 |
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IXTA08N50D2 | MOSFET N-CH 500V 800MA TO263 | 1343928 注文の詳細 |
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APT10035JLL | MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP | 863 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10816 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.14000 | $1.14 |
| 2500 | $0.42805 | $1070.125 |
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