FQU2N60CTU

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部品番号 FQU2N60CTU
LIXINC Part # FQU2N60CTU
メーカー Rochester Electronics
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル FQU2N60CTU PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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FQU2N60CTU 仕様

部品番号:FQU2N60CTU
ブランド:Rochester Electronics
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Rochester Electronics
シリーズ:QFET®
パッケージ:Bulk
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:1.9A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):10V
(最大) @ id、vgs の rds:4.7Ohm @ 950mA, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:12 nC @ 10 V
vgs (最大):±30V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:235 pF @ 25 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):2.5W (Ta), 44W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Through Hole
サプライヤー デバイス パッケージ:I-PAK
パッケージ・ケース:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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