NTBG020N120SC1 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTBG020N120SC1

NTBG020N120SC1

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部品番号	NTBG020N120SC1
LIXINC Part #	NTBG020N120SC1
メーカー	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
カテゴリー	ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	NTBG020N120SC1 PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Sep 29 - Oct 03 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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NTBG020N120SC1 仕様

部品番号:	NTBG020N120SC1
ブランド:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
シリーズ:	-
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Active
フェチタイプ:	N-Channel
テクノロジー:	SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):	1200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:	8.6A (Ta), 98A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):	20V
(最大) @ id、vgs の rds:	28mOhm @ 60A, 20V
vgs(th) (最大) @ ID:	4.3V @ 20mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:	220 nC @ 20 V
vgs (最大):	+25V, -15V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:	2943 pF @ 800 V
フェチ機能:	-
消費電力 (最大):	3.7W (Ta), 468W (Tc)
動作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ:	D2PAK-7
パッケージ・ケース:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

APT60M75L2LLG	MOSFET N-CH 600V 73A 264 MAX	900 注文の詳細
IRFB18N50K	MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB	825 注文の詳細
TK62N60W,S1VF	MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247	997 注文の詳細
IXTA08N50D2	MOSFET N-CH 500V 800MA TO263	1343885 注文の詳細
APT10035JLL	MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP	1000 注文の詳細
NVTFS005N04CTAG	MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN	989 注文の詳細
IPD25N06S4L30ATMA2	MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31	969 注文の詳細
FQP55N10	MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3	1868 注文の詳細
IXTP14N60PM	MOSFET N-CH 600V 7A TO220	2094 注文の詳細
PSMN063-150D,118	MOSFET N-CH 150V 29A DPAK	1147 注文の詳細
SI4459ADY-T1-GE3	MOSFET P-CH 30V 29A 8SO	1013 注文の詳細
IPP50R299CPXKSA1	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET	34252 注文の詳細
IPD80N06S3-09	MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3	7919 注文の詳細