参考まで
| 部品番号 | SSF7N60B |
| LIXINC Part # | SSF7N60B |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | SSF7N60B PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 29 - Oct 03 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | SSF7N60B |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
 |
IPN80R750P7ATMA1 | MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 | 9787 注文の詳細 |
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PSMN019-100YLX | MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56 | 946 注文の詳細 |
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FDA38N30 | MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN | 932 注文の詳細 |
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RSS070N05FRATB | MOSFET N-CH 45V 7A 8SOP | 5342 注文の詳細 |
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SI7230DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8 | 3817 注文の詳細 |
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BSZ021N04LS6ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON | 955 注文の詳細 |
 |
STP33N60DM2 | MOSFET N-CH 600V 24A TO220 | 1178 注文の詳細 |
 |
MCP07N65-BP | MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB | 5566 注文の詳細 |
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IPZ40N04S53R1ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON | 2657 注文の詳細 |
 |
SIHA5N80AE-GE3 | E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD | 960 注文の詳細 |
 |
2SK1317-E | MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P | 946 注文の詳細 |
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IPBE65R099CFD7AATMA1 | MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7 | 975 注文の詳細 |
 |
SQS840CENW-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W | 3750 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10867 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.44000 | $0.44 |
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