参考まで
部品番号 | SIHA5N80AE-GE3 |
LIXINC Part # | SIHA5N80AE-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SIHA5N80AE-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 29 - Oct 03 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | SIHA5N80AE-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | E |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 800 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 3A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.35Ohm @ 1.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 16.5 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 321 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 29W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220 Full Pack |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 Full Pack |
2SK1317-E | MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P | 866 注文の詳細 |
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IPBE65R099CFD7AATMA1 | MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7 | 825 注文の詳細 |
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SQS840CENW-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W | 3804 注文の詳細 |
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YJD80G06A-F1-0000 | N-CH MOSFET 60V 80A TO-252 | 980 注文の詳細 |
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IPP034NE7N3G | IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P | 2390 注文の詳細 |
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BUK7Y19-100EX | MOSFET N-CH 100V LFPAK56-SO8 | 937 注文の詳細 |
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NTMFS4708NT3G | MOSFET N-CH 30V 7.8A 5DFN | 5946 注文の詳細 |
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FDS6064N3 | MOSFET N-CH 20V 23A 8SO | 31994 注文の詳細 |
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NX3020NAK,215 | MOSFET N-CH 30V 200MA TO236AB | 34766 注文の詳細 |
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IPP060N06NAKSA1 | MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3 | 918 注文の詳細 |
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STB7ANM60N | MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK | 1512 注文の詳細 |
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IRF7420TRPBF | MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO | 833 注文の詳細 |
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2SK1154-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1396 注文の詳細 |
在庫あり | 10959 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.45000 | $1.45 |
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