参考まで
部品番号 | STFW42N60M2-EP |
LIXINC Part # | STFW42N60M2-EP |
メーカー | STMicroelectronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | STFW42N60M2-EP PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 29 - Oct 03 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | STFW42N60M2-EP |
ブランド: | STMicroelectronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | STMicroelectronics |
シリーズ: | MDmesh™ M2 |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 34A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 87mOhm @ 17A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 55 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±25V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2370 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 63W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | ISOWATT-218FX |
パッケージ・ケース: | ISOWATT218FX |
FDPF55N06 | MOSFET N-CH 60V 55A TO220F | 2684 注文の詳細 |
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IXTA62N15P | MOSFET N-CH 150V 62A TO263 | 1152955 注文の詳細 |
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SQS420EN-T1_GE3 | MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8 | 4138 注文の詳細 |
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2SK4099LS-1E | MOSFET N-CH 600V 6.9A TO220F-3FS | 2146 注文の詳細 |
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DMP4013LFG-7 | MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333 | 853 注文の詳細 |
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NTD4810NH-1G | MOSFET N-CH 30V 9A/54A IPAK | 4561 注文の詳細 |
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SPD09P06PLGBTMA1 | MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3 | 973 注文の詳細 |
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AUIRLS3034 | AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL | 5890 注文の詳細 |
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SFR2955TM | P-CHANNEL POWER MOSFET | 15003 注文の詳細 |
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NTMFS4935NT3G | MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN | 490010817 注文の詳細 |
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IRFPG30PBF | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3 | 1062 注文の詳細 |
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BSC016N03LSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON | 862 注文の詳細 |
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FDS2170N7 | MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC | 24657 注文の詳細 |
在庫あり | 10836 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $5.98400 | $5.984 |
300 | $5.98400 | $1795.2 |
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