XPH4R10ANB,L1XHQ

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部品番号 XPH4R10ANB,L1XHQ
LIXINC Part # XPH4R10ANB,L1XHQ
メーカー Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル XPH4R10ANB,L1XHQ PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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XPH4R10ANB,L1XHQ 仕様

部品番号:XPH4R10ANB,L1XHQ
ブランド:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:U-MOSVIII-H
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:70A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):6V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:4.1mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:3.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:75 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:4970 pF @ 10 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):960mW (Ta), 170W (Tc)
動作温度:175°C
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:8-SOP Advance (5x5)
パッケージ・ケース:8-SOIC (0.197", 5.00mm Width)

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