参考まで
部品番号 | IRFD123PBF |
LIXINC Part # | IRFD123PBF |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRFD123PBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRFD123PBF |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 1.3A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 270mOhm @ 780mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 16 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 360 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.3W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
パッケージ・ケース: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
AOTF4126 | MOSFET N-CH 100V 6A/27A TO220-3F | 870 注文の詳細 |
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BSC034N10LS5ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON | 995 注文の詳細 |
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STD27N3LH5 | MOSFET N-CH 30V 27A DPAK | 1280 注文の詳細 |
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AUIRFR8401TRL | MOSFET N-CH 40V 100A DPAK | 899 注文の詳細 |
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RTQ030P02TR | MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6 | 898 注文の詳細 |
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DMT4011LSS-13 | MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SO | 893 注文の詳細 |
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SIHP6N40D-GE3 | MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB | 1848 注文の詳細 |
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AOT12N50 | MOSFET N-CH 500V 12A TO220 | 893 注文の詳細 |
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SIHD5N80AE-GE3 | E SERIES POWER MOSFET DPAK (TO-2 | 999 注文の詳細 |
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IRF9610PBF-BE3 | MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB | 1909 注文の詳細 |
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IRFZ34NPBF | MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB | 3466 注文の詳細 |
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IXFA20N85XHV-TRL | MOSFET N-CH 850V 20A TO263HV | 854 注文の詳細 |
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IRFP4868PBF | MOSFET N-CH 300V 70A TO247AC | 2067 注文の詳細 |
在庫あり | 10895 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.45000 | $1.45 |
2500 | $0.61600 | $1540 |
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