参考まで
部品番号 | IPW60R250CP |
LIXINC Part # | IPW60R250CP |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPW60R250CP PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IPW60R250CP |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | CoolMOS™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 650 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 12A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 250mOhm @ 7.8A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3.5V @ 440µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 35 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.2 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 104W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO247-3 |
パッケージ・ケース: | TO-247-3 |
IXTP130N15X4 | MOSFET N-CH 150V 130A TO220 | 862415 注文の詳細 |
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SIR124DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK | 6387 注文の詳細 |
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FQPF2N60 | MOSFET N-CH 600V 1.6A TO220F | 991 注文の詳細 |
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IRFP350A | N-CHANNEL POWER MOSFET | 946 注文の詳細 |
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SIHJ7N65E-T1-GE3 | MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8 | 3951 注文の詳細 |
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SSM3K335R,LF | MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F | 7718 注文の詳細 |
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SISS73DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK | 5400 注文の詳細 |
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IRFR9210TRPBF | MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK | 967 注文の詳細 |
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BUK9Y38-100E,115 | MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56 | 908 注文の詳細 |
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IRFR1010ZTRLPBF | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 889 注文の詳細 |
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BSP149L6906HTSA1 | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 | 112977 注文の詳細 |
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BUK6D22-30EX | MOSFET N-CH 30V 7.2A/22A 6DFN | 6798 注文の詳細 |
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SIE812DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK | 2011 注文の詳細 |
在庫あり | 11677 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.69000 | $1.69 |
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