TPC8062-H,LQ(CM | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPC8062-H,LQ(CM

TPC8062-H,LQ(CM

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部品番号	TPC8062-H,LQ(CM
LIXINC Part #	TPC8062-H,LQ(CM
メーカー	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー	ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明	MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	TPC8062-H,LQ(CM PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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TPC8062-H,LQ(CM 仕様

部品番号:	TPC8062-H,LQ(CM
ブランド:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:	U-MOSVII-H
パッケージ:	Tape & Reel (TR)
部品の状態:	Last Time Buy
フェチタイプ:	N-Channel
テクノロジー:	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):	30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:	18A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):	4.5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:	5.8mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:	2.3V @ 300µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:	34 nC @ 10 V
vgs (最大):	±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:	2900 pF @ 10 V
フェチ機能:	-
消費電力 (最大):	1W (Ta)
動作温度:	150°C (TJ)
取付タイプ:	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ:	8-SOP
パッケージ・ケース:	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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