参考まで
部品番号 | IRFD310 |
LIXINC Part # | IRFD310 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | 0.4A 400V 3.600 OHM N-CHANNEL |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRFD310 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRFD310 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 400 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 350mA (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 3.6Ohm @ 210mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 17 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 170 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
パッケージ・ケース: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
IRFH8316TRPBF | MOSFET N-CH 30V 27A/50A TDSON0 | 4896 注文の詳細 |
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DMN3053L-13 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 | 823 注文の詳細 |
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PSMN025-100D,118 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 | 834 注文の詳細 |
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SUM40012EL-GE3 | MOSFET N-CH 40V 150A TO263 | 1694 注文の詳細 |
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IXTA75N10P | MOSFET N-CH 100V 75A TO263 | 56669 注文の詳細 |
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DMPH4013SK3Q-13 | MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R | 977 注文の詳細 |
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SQJ416EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8 | 1613 注文の詳細 |
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FCPF20N60ST | 20A, 600V, 0.19OHM, N CHANNEL , | 1836 注文の詳細 |
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BS170-D26Z | MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 | 956 注文の詳細 |
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STF11N65M2 | MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP | 839 注文の詳細 |
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2SK1628-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4138 注文の詳細 |
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RM2301E | MOSFET P-CHANNEL 20V 2.6A SOT23 | 861 注文の詳細 |
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EPC2024 | GANFET NCH 40V 60A DIE | 5484 注文の詳細 |
在庫あり | 14388 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.14000 | $1.14 |
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