参考まで
| 部品番号 | 2SJ128-AZ |
| LIXINC Part # | 2SJ128-AZ |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | 2SJ128-AZ PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Jul 01 - Jul 05 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | 2SJ128-AZ |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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FDMC8676 | MOSFET N-CH 30V 16A/18A POWER33 | 4846 注文の詳細 |
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IRF840ASPBF | MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK | 1040 注文の詳細 |
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IPD70P04P4L08ATMA1 | MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3 | 947 注文の詳細 |
 |
SI4490DY-T1-E3 | MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO | 1742 注文の詳細 |
 |
R6004END3TL1 | MOSFET N-CH 600V 4A TO252 | 3461 注文の詳細 |
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HUFA75639S3ST-F085A | MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK | 1631 注文の詳細 |
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NP100N055PUK-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 100A TO263 | 973 注文の詳細 |
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STP6NK60Z | MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB | 1835 注文の詳細 |
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NVMFS5C612NLT3G | MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN | 937 注文の詳細 |
 |
NTE2393 | MOSFET N-CHANNEL 500V 10A TO3P | 985 注文の詳細 |
 |
AUIRLR3705Z | AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL | 15785 注文の詳細 |
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IPU60R1K4C6BKMA1 | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3 | 41425 注文の詳細 |
 |
CSD13201W10 | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA | 701069891 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10829 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.47000 | $0.47 |
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