SIHH21N65E-T1-GE3

SIHH21N65E-T1-GE3
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部品番号 SIHH21N65E-T1-GE3
LIXINC Part # SIHH21N65E-T1-GE3
メーカー Vishay / Siliconix
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 650V 20.3A PPAK 8X8
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル SIHH21N65E-T1-GE3 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Jul 08 - Jul 12 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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SIHH21N65E-T1-GE3 仕様

部品番号:SIHH21N65E-T1-GE3
ブランド:Vishay / Siliconix
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Vishay / Siliconix
シリーズ:-
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:20.3A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):10V
(最大) @ id、vgs の rds:170mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:99 nC @ 10 V
vgs (最大):±30V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:2404 pF @ 100 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):156W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:PowerPAK® 8 x 8
パッケージ・ケース:8-PowerTDFN

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