参考まで
部品番号 | SSM6J505NU,LF |
LIXINC Part # | SSM6J505NU,LF |
メーカー | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SSM6J505NU,LF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 08 - Jul 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | ![]() |
運送 | ![]() |
部品番号: | SSM6J505NU,LF |
ブランド: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
シリーズ: | U-MOSVI |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 12 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 12A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 1.2V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 12mOhm @ 4A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 37.6 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±6V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2700 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.25W (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 6-UDFNB (2x2) |
パッケージ・ケース: | 6-WDFN Exposed Pad |
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IPP80N06S2LH5AKSA2 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3-1 | 38867 注文の詳細 |
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SQD50034EL_GE3 | MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA | 2541 注文の詳細 |
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TPH3205WSBQA | GANFET N-CH 650V 35A TO247-3 | 1302 注文の詳細 |
在庫あり | 16833 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.53000 | $0.53 |
3000 | $0.17719 | $531.57 |
6000 | $0.16575 | $994.5 |
15000 | $0.16004 | $2400.6 |
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