FDD5N50NZTM

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部品番号 FDD5N50NZTM
LIXINC Part # FDD5N50NZTM
メーカー Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル FDD5N50NZTM PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDD5N50NZTM 仕様

部品番号:FDD5N50NZTM
ブランド:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
シリーズ:UniFET™
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:4A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):10V
(最大) @ id、vgs の rds:1.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:12 nC @ 10 V
vgs (最大):±25V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:440 pF @ 25 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):62W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:DPAK
パッケージ・ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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