参考まで
部品番号 | ZDS020N60TB |
LIXINC Part # | ZDS020N60TB |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 630MA 8SOP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | ZDS020N60TB PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | ZDS020N60TB |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Not For New Designs |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 630mA (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 5Ohm @ 500mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 20 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 310 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2W (Tc) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SOP |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ISL9N306AD3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 9184 注文の詳細 |
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AOW11N60 | MOSFET N-CH 600V 11A TO262 | 1761 注文の詳細 |
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G3R350MT12D | SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3 | 2161 注文の詳細 |
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IXTQ44P15T | MOSFET P-CH 150V 44A TO3P | 179335 注文の詳細 |
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IRF1104LPBF | MOSFET N-CH 40V 100A TO262 | 919 注文の詳細 |
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SIA469DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 | 10002 注文の詳細 |
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IPI80N03S4L-03 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1815 注文の詳細 |
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SKI03021 | MOSFET N-CH 30V 85A TO263-3 | 958 注文の詳細 |
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SPI02N65C3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 836 注文の詳細 |
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BSC0502NSIATMA1 | MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON | 4740 注文の詳細 |
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PSMN2R1-40PLQ | MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB | 834 注文の詳細 |
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2SK2512-AZ | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1876 注文の詳細 |
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IRFB4410ZGPBF | MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB | 814 注文の詳細 |
在庫あり | 10933 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.55440 | $0.5544 |
2500 | $0.54277 | $1356.925 |
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