参考まで
| 部品番号 | FQP9N25 |
| LIXINC Part # | FQP9N25 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | FQP9N25 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | FQP9N25 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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IXFA34N65X2-TRL | MOSFET N-CH 650V 34A TO263 | 899 注文の詳細 |
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FQAF11N90C | MOSFET N-CH 900V 7A TO3PF | 1123 注文の詳細 |
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UPA2780GR-E1-A | N-CHANNEL POWER MOSFET | 20700 注文の詳細 |
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NTD4806NAT4G | MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK | 8310 注文の詳細 |
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IRFR5410TRRPBF | MOSFET P-CH 100V 13A DPAK | 913 注文の詳細 |
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DMP4065SQ-7 | MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 T&R | 907 注文の詳細 |
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3LP01SS-TL-EX | MOSFET P-CH 30V 100MA 3SSFP | 24884 注文の詳細 |
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SIR624DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 200V 5.7A/18.6A PPAK | 941 注文の詳細 |
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TSM13ND50CI | MOSFET N-CH 500V 13A ITO220 | 4850 注文の詳細 |
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BUK661R8-30C,118 | MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK | 2360 注文の詳細 |
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IPD530N15N3GATMA1 | MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3 | 1163 注文の詳細 |
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SIB457EDK-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6 | 9376 注文の詳細 |
 |
DI036N20PQ | MOSFET N-CH 200V 36A 8QFN | 905 注文の詳細 |
| 在庫あり | 132885 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.43000 | $0.43 |
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