参考まで
部品番号 | FQU2N90TU |
LIXINC Part # | FQU2N90TU |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQU2N90TU PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQU2N90TU |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 900 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 1.7A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 7.2Ohm @ 850mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 15 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 500 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I-PAK |
パッケージ・ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
PMPB11EN,115 | MOSFET N-CH 30V 9A DFN2020MD-6 | 887 注文の詳細 |
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CPH6444-TL-E | MOSFET N-CH 60V 4.5A 6CPH | 105904 注文の詳細 |
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TK20V60W5,LVQ | MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN | 2420 注文の詳細 |
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IPP60R360CFD7XKSA1 | MOSFET 600V TO220-3-1 | 1405 注文の詳細 |
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BUK9675-55A,118 | MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK | 6854 注文の詳細 |
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5HN01M-TL-E | MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP | 15917 注文の詳細 |
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NVTFS5116PLTWG | MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN | 900 注文の詳細 |
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IRFS510A | N-CHANNEL POWER MOSFET | 875 注文の詳細 |
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IRFP4310ZPBF | MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC | 3927 注文の詳細 |
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ZXMP6A16KTC | MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3 | 961 注文の詳細 |
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MCH3474-TL-H | MOSFET N-CH 30V 4A SC70FL/MCPH3 | 44234 注文の詳細 |
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FDB7030BL | 60A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL, | 79492 注文の詳細 |
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SI4668DY-T1-E3 | MOSFET N-CH 25V 16.2A 8SO | 907 注文の詳細 |
在庫あり | 350078 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.48000 | $0.48 |
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