参考まで
部品番号 | IRFB11N50APBF-BE3 |
LIXINC Part # | IRFB11N50APBF-BE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRFB11N50APBF-BE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | IRFB11N50APBF-BE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 500 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 11A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 520mOhm @ 6.6A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 52 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1423 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 170W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220AB |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
IRF7490TRPBF | MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO | 1384 注文の詳細 |
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FDMS8050 | MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN | 269296941 注文の詳細 |
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SCT3160KW7TL | TRANS SJT N-CH 1200V 17A TO263-7 | 1930 注文の詳細 |
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SPP80N06S-08 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2898 注文の詳細 |
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BSC120N03LSG | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 2936 注文の詳細 |
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FDMC5614P | MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP | 905 注文の詳細 |
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AUIRFS8408-7TRL | MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK | 1127 注文の詳細 |
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VN0606L-G | MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3 | 1818 注文の詳細 |
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NP36N055HLE-AY | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1888 注文の詳細 |
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IRFS7734TRLPBF | MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK | 1188 注文の詳細 |
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RT1A045APTCR | MOSFET P-CH 12V 4.5A 8TSST | 3891 注文の詳細 |
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STW18NM60ND | MOSFET N-CH 600V 13A TO247 | 831 注文の詳細 |
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STD11NM60ND | MOSFET N-CH 600V 10A DPAK | 872 注文の詳細 |
在庫あり | 11816 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.07000 | $2.07 |
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