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| 部品番号 | IPI052NE7N3G |
| LIXINC Part # | IPI052NE7N3G |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IPI052NE7N3G PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IPI052NE7N3G |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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FQPF9N25C | MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F | 975 注文の詳細 |
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NDS336P | MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3 | 121957 注文の詳細 |
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AO4402 | MOSFET N-CH 20V 20A 8SOIC | 15213 注文の詳細 |
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TP5322K1-G | MOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB | 2382 注文の詳細 |
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SQ4182EY-T1_BE3 | MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC | 3388 注文の詳細 |
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STF31N65M5 | MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP | 1950 注文の詳細 |
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IXFX160N30T | MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247-3 | 864 注文の詳細 |
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IPB530N15N3GATMA1 | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK | 854 注文の詳細 |
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FDFS2P103 | MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC | 30754 注文の詳細 |
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FDMC8321LDC | MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33 | 3682 注文の詳細 |
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FCB20N60-F085 | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | 1596 注文の詳細 |
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UPA2520T1H-T1-AT | MOSFET N-CH 30V 10A 8VSOF | 12997 注文の詳細 |
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NTB095N65S3HF | MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3 | 968 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11371 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.76000 | $0.76 |
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