参考まで
部品番号 | RUR040N02HZGTL |
LIXINC Part # | RUR040N02HZGTL |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RUR040N02HZGTL PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | RUR040N02HZGTL |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101 |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 4A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 1.5V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 35mOhm @ 4A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.3V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 8 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 680 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 700mW (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TSMT3 |
パッケージ・ケース: | SC-96 |
DMN2990UFZ-7B | MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN | 806700825 注文の詳細 |
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FDS6685 | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC | 26878 注文の詳細 |
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SQJ211ELP-T1_GE3 | MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8 | 856 注文の詳細 |
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SUD80460E-GE3 | MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA | 4132 注文の詳細 |
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C3M0065100J | SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 | 896 注文の詳細 |
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AO6409A | MOSFET P-CH 20V 5.5A 6TSOP | 1343 注文の詳細 |
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NTHS5404T1G | MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET | 857 注文の詳細 |
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FDMS86350ET80 | MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56 | 8057 注文の詳細 |
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PSMN6R0-25YLD115 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 44475 注文の詳細 |
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SIRA96DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8 | 1014 注文の詳細 |
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STF5N95K3 | MOSFET N-CH 950V 4A TO220FP | 1979 注文の詳細 |
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IRFS4010TRLPBF | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | 964 注文の詳細 |
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BUK6E4R0-75C,127 | MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK | 906 注文の詳細 |
在庫あり | 13428 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.72000 | $0.72 |
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