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部品番号 | IPB80N03S4L03 |
LIXINC Part # | IPB80N03S4L03 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPB80N03S4L03 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IPB80N03S4L03 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | * |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | - |
テクノロジー: | - |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | - |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | - |
取付タイプ: | - |
サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
パッケージ・ケース: | - |
AOW20S60 | MOSFET N-CH 600V 20A TO262 | 959 注文の詳細 |
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APT1001RBVRG | MOSFET N-CH 1000V 11A TO247 | 901 注文の詳細 |
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BUK753R8-80E,127 | TRANSISTOR >30MHZ | 4740 注文の詳細 |
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AUIRFS8409-7TRL | MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK | 984 注文の詳細 |
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IPP60R250CPXK | N-CHANNEL POWER MOSFET | 890 注文の詳細 |
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IRFIB5N65APBF | MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3 | 1562 注文の詳細 |
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AUIRLU3114Z | MOSFET N-CH 40V 130A TO251-3 | 1579 注文の詳細 |
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SIR474DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | 2683 注文の詳細 |
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HUF75329D3 | MOSFET N-CH 55V 20A IPAK | 2697 注文の詳細 |
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IRF9Z14PBF | MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB | 1289 注文の詳細 |
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DMN2600UFB-7 | MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN | 66936870 注文の詳細 |
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SI3483CDV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP | 331956 注文の詳細 |
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CSD17313Q2T | MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON | 3226 注文の詳細 |
在庫あり | 12956 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.57000 | $0.57 |
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