参考まで
部品番号 | FQB65N06TM |
LIXINC Part # | FQB65N06TM |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQB65N06TM PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQB65N06TM |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 65A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 16mOhm @ 32.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 65 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±25V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2.41 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3.75W (Ta), 150W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D²PAK (TO-263AB) |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
IRFP27N60KPBF | MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3 | 10376 注文の詳細 |
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BSM400C12P3G202 | SICFET N-CH 1200V 400A MODULE | 802 注文の詳細 |
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IPA60R230P6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 16.8A TO220-FP | 890 注文の詳細 |
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AUIRF1324STRL7P | MOSFET N-CH 24V 340A D2PAK | 2059 注文の詳細 |
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IPD60R400CEATMA1 | 600V COOLMOS N-CHANNEL | 2246 注文の詳細 |
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IRFS3806TRLPBF | MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK | 4259 注文の詳細 |
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C3M0350120D | SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3 | 1006 注文の詳細 |
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STP60NF10 | MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB | 4571 注文の詳細 |
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MCH6444-TL-H | MOSFET N-CH 35V 2.5A 6MCPH | 3747 注文の詳細 |
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IRF9Z14LPBF | MOSFET P-CH 60V 6.7A I2PAK | 944 注文の詳細 |
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FDN306P | MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3 | 24747 注文の詳細 |
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RF4E060AJTCR | MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8 | 3830 注文の詳細 |
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NTLUS4195PZTAG | MOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN | 45842 注文の詳細 |
在庫あり | 17089 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.88000 | $0.88 |
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