参考まで
| 部品番号 | 2SK669 |
| LIXINC Part # | 2SK669 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | 2SK669 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | 2SK669 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
 |
IPB60R360P7ATMA1 | IPB60R360 - 600V, 0.36OHM, N-CHA | 2301 注文の詳細 |
 |
R6015ENJTL | MOSFET N-CH 600V 15A LPTS | 1852 注文の詳細 |
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IPD65R1K4C6ATMA1 | MOSFET N-CH 650V 3.2A TO252-3 | 833 注文の詳細 |
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RQ5C060BCTCL | MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3 | 4510 注文の詳細 |
 |
SQS405EN-T1_GE3 | MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8 | 17882 注文の詳細 |
 |
AOTF2916L | MOSFET N-CH 100V 5A/17A TO220-3F | 933 注文の詳細 |
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STF16N65M2 | MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP | 843 注文の詳細 |
 |
SI7112DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8 | 936 注文の詳細 |
 |
IRFU024PBF | MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA | 3299 注文の詳細 |
 |
CSD17579Q3A | MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON | 35862 注文の詳細 |
 |
CPH3350-TL-W | MOSFET P-CH 20V 3A 3CPH | 12809 注文の詳細 |
 |
AON7400B | MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8DFN | 847 注文の詳細 |
 |
RFP8P05 | MOSFET P-CH 50V 8A TO220-3 | 981 注文の詳細 |
| 在庫あり | 12158 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.18000 | $0.18 |
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