参考まで
| 部品番号 | SI3447DV |
| LIXINC Part # | SI3447DV |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | P-CHANNEL MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | SI3447DV PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | SI3447DV |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
 |
SQD50N04-4M5L_GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA | 2699 注文の詳細 |
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STD13NM60ND | MOSFET N-CH 600V 11A DPAK | 3817 注文の詳細 |
 |
NTP27N06G | MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB | 888 注文の詳細 |
 |
STD26P3LLH6 | MOSFET P-CH 30V 12A DPAK | 6343 注文の詳細 |
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IRF200S234 | MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK | 1393 注文の詳細 |
 |
NTD6414AN-1G | MOSFET N-CH 100V 32A IPAK | 17522 注文の詳細 |
 |
SPP80P06PHXKSA1 | MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3 | 4933 注文の詳細 |
 |
CSD19535KTTT | MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK | 2586 注文の詳細 |
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IPP042N03LGHKSA1 | MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3 | 867 注文の詳細 |
 |
SQ2308CES-T1_BE3 | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 | 3693 注文の詳細 |
 |
DMG2305UX-7 | MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 | 806 注文の詳細 |
 |
SIHG70N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 70A TO247AC | 919 注文の詳細 |
 |
DMT6009LPS-13 | MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI | 3132 注文の詳細 |
| 在庫あり | 19866 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.15000 | $0.15 |
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