参考まで
部品番号 | SPI21N10 |
LIXINC Part # | SPI21N10 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 21A TO262-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SPI21N10 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 27 - Oct 01 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SPI21N10 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | SIPMOS® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 21A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 80mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 44µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 38.4 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 865 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 90W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO262-3-1 |
パッケージ・ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
IPA65R190C7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 8A TO220-FP | 1406 注文の詳細 |
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SIHP21N60EF-BE3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB | 1818 注文の詳細 |
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STU9N65M2 | MOSFET N-CH 650V 5A IPAK | 921 注文の詳細 |
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NDD03N60Z-1G | MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK | 43878 注文の詳細 |
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SIHB12N60ET1-GE3 | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 | 1625 注文の詳細 |
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DMP3012LPS-13 | MOSFET P-CH 30V 13.2A PWRDI5060 | 944 注文の詳細 |
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FDPF8N60ZUT | MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F | 9871935 注文の詳細 |
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TN0610N3-G | MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3 | 1627 注文の詳細 |
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IPP80N04S404AKSA1 | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1 | 5320 注文の詳細 |
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FQP30N06L | MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3 | 24781 注文の詳細 |
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IPB025N10N3GATMA1 | MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 | 896 注文の詳細 |
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IRFBE30STRLPBF | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | 1604 注文の詳細 |
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SUP80090E-GE3 | MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB | 1299 注文の詳細 |
在庫あり | 12045 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.61000 | $0.61 |
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