参考まで
| 部品番号 | SPP11N65C3XK |
| LIXINC Part # | SPP11N65C3XK |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | SPP11N65 - 650V AND 700V COOLMOS |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | SPP11N65C3XK PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 27 - Oct 01 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | SPP11N65C3XK |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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IRLL014TRPBF | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | 2296 注文の詳細 |
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BUK7Y35-55B,115 | PFET, 28.43A I(D), 55V, 0.035OHM | 2273 注文の詳細 |
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IXFK210N30X3 | MOSFET N-CH 300V 210A TO264 | 1009 注文の詳細 |
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SUM90142E-GE3 | MOSFET N-CH 200V 90A TO263 | 1003 注文の詳細 |
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FCP4N60 | MOSFET N-CH 600V 3.9A TO220-3 | 3463993 注文の詳細 |
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IPP50R199CPXK | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1101 注文の詳細 |
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XP261N70023R-G | MOSFET N-CH 60V 150MA SOT323-3 | 3988 注文の詳細 |
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DMT6013LSS-13 | MOSFET N-CH 60V 10A 8SO | 822 注文の詳細 |
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SPW11N80C3FKSA1 | MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3 | 2259 注文の詳細 |
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IRFRC20TRRPBF | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | 3866 注文の詳細 |
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IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON | 10918 注文の詳細 |
 |
FDP5N50NZ | MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3 | 1418 注文の詳細 |
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FQI3P20TU | MOSFET P-CH 200V 2.8A I2PAK | 1856 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10915 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.36000 | $1.36 |
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