参考まで
部品番号 | R6012JNJGTL |
LIXINC Part # | R6012JNJGTL |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 12A LPTS |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | R6012JNJGTL PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | R6012JNJGTL |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 12A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 15V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 390mOhm @ 6A, 15V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 7V @ 2.5mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 28 nC @ 15 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 900 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 160W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | LPTS |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
PMV65XPEA215 | P-CHANNEL MOSFET | 885871 注文の詳細 |
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SI2300DS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3 | 9359 注文の詳細 |
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IPP80N08S2L07AKSA1 | MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 | 1080 注文の詳細 |
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NTD20N06L-1G | MOSFET N-CH 60V 20A IPAK | 902 注文の詳細 |
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PMN42XPE,115 | MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP | 36849 注文の詳細 |
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VP2110K1-G | MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB | 4970 注文の詳細 |
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TK7A45DA(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 450V 6.5A TO220SIS | 819 注文の詳細 |
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NP40N055KLE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 40A TO263 | 2600 注文の詳細 |
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NTTFS4C10NTWG | MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN | 862 注文の詳細 |
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SPU08N05L | N-CHANNEL POWER MOSFET | 54820 注文の詳細 |
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IPA100N08N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 80V 40A TO220-3-111 | 862 注文の詳細 |
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SSM5N15FE(TE85L,F) | MOSFET N-CH 30V 100MA ESV | 856 注文の詳細 |
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DMT6005LFG-13 | MOSFET N-CH 60V PWRDI3333 | 897 注文の詳細 |
在庫あり | 11992 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.15000 | $3.15 |
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