参考まで
部品番号 | RD3L08BGNTL |
LIXINC Part # | RD3L08BGNTL |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 80A TO252 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RD3L08BGNTL PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | RD3L08BGNTL |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 80A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 5.5mOhm @ 80A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 100µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 71 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3620 pF @ 30 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 119W (Tc) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-252 |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
TN0604N3-G | MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3 | 1874 注文の詳細 |
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APT5010B2LLG | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | 816 注文の詳細 |
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SI4668DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 16.2A 8SO | 883 注文の詳細 |
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IRFR13N15DPBF | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK | 871 注文の詳細 |
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FDPF51N25YDTU | MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3 | 1575 注文の詳細 |
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NDB6030PL | 30A, 30V, 0.025OHM, P-CHANNEL, | 33448 注文の詳細 |
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BS107PSTZ | MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE | 326412847 注文の詳細 |
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BUK7909-75AIE,127 | MOSFET N-CH 75V 75A TO220-5 | 4623 注文の詳細 |
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SI1012X-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 | 3565 注文の詳細 |
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PMN34LN,135 | MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP | 10975 注文の詳細 |
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SK8603180L | MOSFET N-CH 30V 15A/39A 8HSO | 3798 注文の詳細 |
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NVD6416ANLT4G-VF01 | MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3 | 3115 注文の詳細 |
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FQP10N20L | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2839 注文の詳細 |
在庫あり | 13139 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.42000 | $2.42 |
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