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部品番号 | PSMN1R7-25YLC,115 |
LIXINC Part # | PSMN1R7-25YLC,115 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | PSMN1R7-25YLC,115 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | PSMN1R7-25YLC,115 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 25 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 100A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.9mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.95V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 59 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3.735 pF @ 12 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 164W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | LFPAK56, Power-SO8 |
パッケージ・ケース: | SC-100, SOT-669 |
IPA65R190E6XKSA1 | PFET, 650V, 0.19OHM, 1-ELEMENT, | 827 注文の詳細 |
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NTD3808N-1G | MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK | 8199 注文の詳細 |
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AUIRFR2905Z | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 3649 注文の詳細 |
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IPB117N20NFDATMA1 | MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3 | 878 注文の詳細 |
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SSM3J36TU,LF | MOSFET P-CH 20V 330MA UFM | 10298 注文の詳細 |
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IXTH140P10T | MOSFET P-CH 100V 140A TO247 | 1007 注文の詳細 |
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FDD16AN08A0_NF054 | MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK | 1215 注文の詳細 |
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AOW482 | MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO262 | 981 注文の詳細 |
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AUIRF1010ZL | MOSFET N-CH 55V 75A TO262 | 8561 注文の詳細 |
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DMT10H015SPS-13 | MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 | 972 注文の詳細 |
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FQU2N90TU-AM002 | MOSFET N-CH 900V 1.7A I-PAK | 1798 注文の詳細 |
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SIA817EDJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6 | 21032 注文の詳細 |
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NTB60N06T4G | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK | 32002471 注文の詳細 |
在庫あり | 14096 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.38000 | $0.38 |
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