参考まで
部品番号 | IPLK80R600P7ATMA1 |
LIXINC Part # | IPLK80R600P7ATMA1 |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET 800V TDSON-8 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPLK80R600P7ATMA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IPLK80R600P7ATMA1 |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | CoolMOS™ P7 |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | - |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 800 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | - |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | - |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TDSON-8 |
パッケージ・ケース: | 8-PowerTDFN |
CEDM7001 TR PBFREE | MOSFET N-CH 20V 100MA SOT883 | 6242 注文の詳細 |
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SI5424DC-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8 | 898 注文の詳細 |
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RHK003N06T146 | MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3 | 3861 注文の詳細 |
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SQA401EJ-T1_GE3 | MOSFET P-CH 20V 3.75A PPAK SC70 | 863 注文の詳細 |
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APT10078SLLG | MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK | 831 注文の詳細 |
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TK31N60W,S1VF | MOSFET N CH 600V 30.8A TO247 | 1036 注文の詳細 |
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HUF76107D3S | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1902 注文の詳細 |
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SCH1343-TL-H | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6SCH | 930937 注文の詳細 |
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DMN3008SFG-13 | MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333 | 966 注文の詳細 |
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BSC100N10NSFGATMA1 | MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON | 832 注文の詳細 |
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NVMFS5C468NLAFT3G | MOSFET N-CH 40V 13A/37A 5DFN | 944 注文の詳細 |
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SI7615BDN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK | 919 注文の詳細 |
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IPB083N15N5LFATMA1 | MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK | 966 注文の詳細 |
在庫あり | 10913 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.84332 | $0.84332 |
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