参考まで
| 部品番号 | ISL9N306AP3 |
| LIXINC Part # | ISL9N306AP3 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | ISL9N306AP3 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 21 - Oct 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | ISL9N306AP3 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Obsolete |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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IXTF200N10T | MOSFET N-CH 100V 90A I4PAC | 2506 注文の詳細 |
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IRFS7434TRLPBF | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | 852 注文の詳細 |
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STW70N60DM6 | MOSFET N-CH 600V 62A TO247 | 867 注文の詳細 |
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IXFP38N30X3 | MOSFET N-CH 300V 38A TO220 | 828 注文の詳細 |
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SIB422EDK-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6 | 1375 注文の詳細 |
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NTGD4169FT1G | MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP | 186771 注文の詳細 |
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PMPB12UNEAX | MOSFET N-CH 20V 7.9A DFN2020MD-6 | 997 注文の詳細 |
 |
FQA7N90 | MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P | 2171 注文の詳細 |
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IRF720STRRPBF | MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK | 806 注文の詳細 |
 |
STD7N60M2 | MOSFET N-CH 600V 5A DPAK | 6007 注文の詳細 |
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PMPB15XN,115 | MOSFET N-CH 20V 7.3A DFN2020MD-6 | 893 注文の詳細 |
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FQI2N80TU | MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK | 1472 注文の詳細 |
 |
PHB66NQ03LT | NOW NEXPERIA 66A, 25V, 0.0136OHM | 844 注文の詳細 |
| 在庫あり | 56523 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.70000 | $0.7 |
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