参考まで
部品番号 | STP26N65DM2 |
LIXINC Part # | STP26N65DM2 |
メーカー | STMicroelectronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 650V 20A TO220 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | STP26N65DM2 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 22 - Oct 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | STP26N65DM2 |
ブランド: | STMicroelectronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | STMicroelectronics |
シリーズ: | MDmesh™ DM2 |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 650 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 20A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 190mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 35.5 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±25V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1480 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 170W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
FQD4N25TM-WS | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK | 2348310 注文の詳細 |
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IXFN66N85X | MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B | 962 注文の詳細 |
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SIHS36N50D-GE3 | D SERIES POWER MOSFET SUPER-247, | 846 注文の詳細 |
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BSZ035N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON | 13857 注文の詳細 |
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STFI24NM60N | MOSFET N-CH 600V 17A I2PAKFP | 885 注文の詳細 |
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MCP87090T-U/LC | MOSFET N-CH 25V 48A 8PDFN | 3295 注文の詳細 |
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NTLJS4149PTAG | MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN | 27947 注文の詳細 |
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SQ3410EV-T1_GE3 | MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP | 2700 注文の詳細 |
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NVD5865NLT4G | MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK | 1938 注文の詳細 |
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SCT3080ALHRC11 | SICFET N-CH 650V 30A TO247N | 1701 注文の詳細 |
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FQD3N60TF | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK | 4219 注文の詳細 |
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IRFB23N20DPBF | SMPS HEXFET POWER MOSFET | 1615 注文の詳細 |
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MTP20N15EG | MOSFET N-CH 150V 20A TO220AB | 886 注文の詳細 |
在庫あり | 10814 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.92500 | $1.925 |
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