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部品番号 | SIR870BDP-T1-RE3 |
LIXINC Part # | SIR870BDP-T1-RE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SIR870BDP-T1-RE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 22 - Oct 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | SIR870BDP-T1-RE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 18.8A (Ta), 81A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 6.1mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 110 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 4870 pF @ 50 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 5.4W (Ta), 100W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PowerPAK® SO-8 |
パッケージ・ケース: | PowerPAK® SO-8 |
BSN20BK215 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 933 注文の詳細 |
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STB6NK60Z-1 | MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK | 968 注文の詳細 |
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IRFI9634GPBF | MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3 | 1800 注文の詳細 |
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NTB25P06T4 | MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK | 1315 注文の詳細 |
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IXTP34N65X2 | MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB | 292886 注文の詳細 |
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STU6NF10 | MOSFET N-CH 100V 6A IPAK | 882 注文の詳細 |
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NTMFS5H409NLT1G | MOSFET N-CH 40V 41A/270A 5DFN | 2007 注文の詳細 |
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AON6502 | MOSFET N-CH 30V 49A/85A 8DFN | 3844 注文の詳細 |
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BUK7506-55A,127 | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | 2245 注文の詳細 |
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IXFN44N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B | 825 注文の詳細 |
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BUK964R8-60E,118 | MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK | 14654 注文の詳細 |
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IXTA42N25P-TRL | MOSFET N-CH 250V 42A TO263 | 850 注文の詳細 |
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IRF7855TRPBF | MOSFET N-CH 60V 12A 8SO | 1000 注文の詳細 |
在庫あり | 16960 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.31000 | $2.31 |
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