参考まで
部品番号 | IRF8113PBF |
LIXINC Part # | IRF8113PBF |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | HEXFET POWER MOSFET |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRF8113PBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRF8113PBF |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 17.2A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 5.6mOhm @ 17.2A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 36 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2.91 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SO |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
STD25NF10LA | MOSFET N-CH 100V 25A DPAK | 5737 注文の詳細 |
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BSS138LT1G | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 | 904 注文の詳細 |
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MCAC10H03-TP | MOSFET N-CH 30V 100A DFN5060-8 | 10972 注文の詳細 |
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HUFA75344G3 | MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3 | 97598 注文の詳細 |
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STW15NK90Z | MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3 | 1201 注文の詳細 |
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HAT2165N-EL-E | MOSFET N-CH 30V 55A 8LFPAK | 3495 注文の詳細 |
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SIR826ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 | 15285 注文の詳細 |
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BSS169H6327XTSA1 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | 55834 注文の詳細 |
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BUK9535-100A,127 | MOSFET N-CH 100V 41A TO220AB | 4887 注文の詳細 |
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IRF7402TRPBF | MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO | 3876 注文の詳細 |
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IPI50R199CPXKSA1 | MOSFET N-CH 500V 17A TO262-3 | 14887 注文の詳細 |
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STB6N80K5 | MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK | 816 注文の詳細 |
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SIE864DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 45A 10POLARPAK | 880 注文の詳細 |
在庫あり | 10969 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.40000 | $0.4 |
3800 | $0.40000 | $1520 |
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