参考まで
部品番号 | STP26N60M2 |
LIXINC Part # | STP26N60M2 |
メーカー | STMicroelectronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | STP26N60M2 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | STP26N60M2 |
ブランド: | STMicroelectronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | STMicroelectronics |
シリーズ: | MDmesh™ M2 |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 20A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | - |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 169W (Tc) |
動作温度: | - |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
IPB60R145CFD7ATMA1 | MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3-2 | 808 注文の詳細 |
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FKV550N | MOSFET N-CH 50V 50A TO220F | 862 注文の詳細 |
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R6004JNXC7G | MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM | 2213 注文の詳細 |
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RJK6024DPD-00#J2 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3977 注文の詳細 |
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IRLZ24NSTRLPBF | MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK | 13286 注文の詳細 |
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IPA60R190E6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP | 835 注文の詳細 |
|
IRLR2705TRPBF | IRLR2705 - 12V-300V N-CHANNEL PO | 12023 注文の詳細 |
|
RZQ045P01TR | MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6 | 6192 注文の詳細 |
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DMTH4005SPSQ-13 | MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060 | 15820 注文の詳細 |
|
TJ40S04M3L(T6L1,NQ | MOSFET P-CH 40V 40A DPAK | 931 注文の詳細 |
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IPS80R1K2P7AKMA1 | MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3 | 5303 注文の詳細 |
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SQS481ENW-T1_GE3 | MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8 | 5086 注文の詳細 |
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STP10LN80K5 | MOSFET N-CH 800V 8A TO220 | 1650 注文の詳細 |
在庫あり | 10912 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.49800 | $1.498 |
1000 | $1.48225 | $1482.25 |
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