参考まで
| 部品番号 | IPI80N04S4-03 |
| LIXINC Part # | IPI80N04S4-03 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | IPI80N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IPI80N04S4-03 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IPI80N04S4-03 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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SI3464DV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP | 2155 注文の詳細 |
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IPD70R2K0CEAUMA1 | MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3 | 973 注文の詳細 |
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IRF710SPBF | MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK | 926 注文の詳細 |
 |
AOB2500L | MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO263 | 1735 注文の詳細 |
 |
SI7434DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8 | 1603 注文の詳細 |
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2SK3064G0L | MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3-F2 | 1175 注文の詳細 |
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AOTF4N60 | MOSFET N-CH 600V 4A TO220-3F | 973 注文の詳細 |
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IRFBF20LPBF | MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK | 835 注文の詳細 |
 |
DMN3150LW-7 | MOSFET N-CH 28V 1.6A SOT323 | 968 注文の詳細 |
 |
BUK7606-55B,118 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 957 注文の詳細 |
 |
IPP065N03LG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3535 注文の詳細 |
 |
TK31A60W,S4VX | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS | 957 注文の詳細 |
 |
DMTH10H015LK3-13 | MOSFET N-CH 100V 52.5A TO252-4L | 945 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10927 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.62000 | $0.62 |
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