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| 部品番号 | ISZ0901NLSATMA1 |
| LIXINC Part # | ISZ0901NLSATMA1 |
| メーカー | IR (Infineon Technologies) |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | ISZ0901NLSATMA1 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 27 - Oct 01 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | ISZ0901NLSATMA1 |
| ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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TK65S04N1L,LXHQ | MOSFET N-CH 40V 65A DPAK | 4869 注文の詳細 |
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IXTQ50N20P | MOSFET N-CH 200V 50A TO3P | 301731 注文の詳細 |
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NTD50N03RG | MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK | 4390 注文の詳細 |
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IPP028N08N3GHKSA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 988 注文の詳細 |
 |
TPS1100PW | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8TSSOP | 1429 注文の詳細 |
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FDD5N50FTM | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4125 注文の詳細 |
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NTMFS4899NFT1G | MOSFET N-CH 30V 10.4A/75A 5DFN | 982 注文の詳細 |
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SI2303CDS-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3 | 5395 注文の詳細 |
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IRF530A | MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3 | 1045 注文の詳細 |
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2SK3019-TP | MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523 | 877 注文の詳細 |
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FQPF3N40 | MOSFET N-CH 400V 1.6A TO220F | 2415 注文の詳細 |
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IRFHM8228TRPBF | HEXFET N-CHANNEL , 25V, 19A | 4373 注文の詳細 |
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IXFH52N30P | MOSFET N-CH 300V 52A TO247AD | 903 注文の詳細 |
| 在庫あり | 15855 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.73000 | $0.73 |
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