参考まで
| 部品番号 | RQ6E045BNTCR |
| LIXINC Part # | RQ6E045BNTCR |
| メーカー | ROHM Semiconductor |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | RQ6E045BNTCR PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | RQ6E045BNTCR |
| ブランド: | ROHM Semiconductor |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | ROHM Semiconductor |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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NTE2930 | MOSFET N-CHANNEL 100V 31A TO3PML | 1319 注文の詳細 |
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NVMFS5C410NLT3G | MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN | 938 注文の詳細 |
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FQA32N20C | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | 36253 注文の詳細 |
 |
AOTF190A60CL | MOSFET N-CH 600V 20A TO220F | 1696 注文の詳細 |
 |
R5011ANJTL | MOSFET N-CH 500V 11A LPTS | 800 注文の詳細 |
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NTMFS4C08NT1G-001 | MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN | 3877 注文の詳細 |
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NVMFS4C05NWFT1G | MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN | 60801 注文の詳細 |
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SQJ460AEP-T2_GE3 | MOSFET N-CH 60V 58A PPAK SO-8 | 878 注文の詳細 |
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IRFS7730TRLPBF | MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK | 1780 注文の詳細 |
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STB4NK60Z-1 | MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK | 977 注文の詳細 |
 |
STN4NF06L | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 | 850 注文の詳細 |
 |
FQPF6N50 | MOSFET N-CH 500V 3.6A TO220F | 6699 注文の詳細 |
 |
NVTR0202PLT1G | MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23 | 1382 注文の詳細 |
| 在庫あり | 12842 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.42000 | $0.42 |
| 3000 | $0.11880 | $356.4 |
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