参考まで
部品番号 | PMF780SN,115 |
LIXINC Part # | PMF780SN,115 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | PMF780SN,115 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | PMF780SN,115 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 570mA (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 920mOhm @ 300mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 1.05 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 23 pF @ 30 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 560mW (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | SOT-323-3 |
パッケージ・ケース: | SC-70, SOT-323 |
IPB60R045P7ATMA1 | MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2 | 975 注文の詳細 |
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IRFU220PBF | MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA | 3477 注文の詳細 |
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2SJ254 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 18679 注文の詳細 |
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IRLU3110ZPBF | MOSFET N-CH 100V 42A IPAK | 894 注文の詳細 |
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IRFU110PBF | MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA | 7192 注文の詳細 |
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NTD5802NT4G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 1588 注文の詳細 |
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DMP3008SFGQ-13 | MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 | 1103 注文の詳細 |
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AO4425 | MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC | 108768 注文の詳細 |
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AUIRFS4115 | MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK | 4851 注文の詳細 |
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TPH5900CNH,L1Q | MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP | 921 注文の詳細 |
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SI2315BDS-T1-E3 | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 | 118939 注文の詳細 |
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IPD050N03LGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | 1695 注文の詳細 |
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BUK664R8-75C,118 | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 5567 注文の詳細 |
在庫あり | 120863 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.05000 | $0.05 |
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