参考まで
| 部品番号 | 2SJ254 |
| LIXINC Part # | 2SJ254 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | P-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | 2SJ254 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | 2SJ254 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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IRLU3110ZPBF | MOSFET N-CH 100V 42A IPAK | 890 注文の詳細 |
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IRFU110PBF | MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA | 7229 注文の詳細 |
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NTD5802NT4G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 1611 注文の詳細 |
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DMP3008SFGQ-13 | MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 | 1133 注文の詳細 |
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AO4425 | MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC | 108845 注文の詳細 |
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AUIRFS4115 | MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK | 4739 注文の詳細 |
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TPH5900CNH,L1Q | MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP | 836 注文の詳細 |
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SI2315BDS-T1-E3 | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 | 118768 注文の詳細 |
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IPD050N03LGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | 1539 注文の詳細 |
 |
BUK664R8-75C,118 | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 5493 注文の詳細 |
 |
AOWF095A60 | MOSFET N-CH 600V 38A TO262F | 1869 注文の詳細 |
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SI4408DY-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 14A 8SO | 5719 注文の詳細 |
 |
IPN80R600P7ATMA1 | MOSFET N-CH 800V 8A SOT223 | 1931 注文の詳細 |
| 在庫あり | 18750 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.83000 | $0.83 |
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